发明名称 |
显示器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件,该显示区域包括第一电极;覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层;形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层;以及第二电极,其中,给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。 |
申请公布号 |
CN101834201A |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
申请号 |
CN201010142748.7 |
申请日期 |
2004.10.25 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;中村理;山道亚希;山出直人 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吴娟;李连涛 |
主权项 |
EL显示器件,其包括:在衬底上的栅电极;在所述栅电极上的栅绝缘膜;在所述栅绝缘膜上的包括沟道形成区的微晶半导体膜;在所述微晶半导体膜上的至少两个n+层;和所述两个n+层之一电连接的第一电极;在所述第一电极上的发光层;和在所述发光层上的第二电极,其中在所述沟道形成区上形成沟道截止体。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |