非易失性半导体存储器的编程方法及其电路

摘要

本发明揭示一种非易失性半导体存储器的编程方法，其是于存储器中选择出一群组的存储器单元来进行编程，并于该群组中致能一第一子群组的存储器单元。于致能该第一子群组后，会等待一预定时间，随后则于该群组中致能一第二子群组的存储器单元来进行编程，同时继续致能该第一子群组来进行编程。

主权项

一种非易失性半导体存储器的编程方法，该存储器包含有一具有若干与多个字线以及位线耦接的存储器单元的存储器阵列，该各位线均耦接至一共电压节点以被施加一位线编程电压，该方法包含下列步骤：选择出一群组的存储器单元进行编程；从该群组中致能一第一子群组中的存储器单元以进行编程；于致能该第一子群组后，等待一第一预定时间；以及于该第一预定时间后，于该群组中致能一第二子群组中的存储器单元以进行编程，并继续致能该第一子群组使其继续进行编程。