制备高纯度、致密的Ti₃SiC₂块体材料的方法

摘要

制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法，它涉及Ti、Si、C陶瓷块体的制备方法。本发明解决了目前制备Ti3SiC2块体材料都存在制备温度高、反应时间、特别是现有方法难以制备大尺寸材料的问题。本发明制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压、点火；三、加压、冷却；即得到Ti3SiC2块体。本发明具有工艺成本低、无需长时间高温加热、可制备直径达240mm的块体材料。

主权项

制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法，其特征在于制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法按如下步骤进行：一、按照摩尔比将2.5～3.5摩尔的钛粉、1-x～1.5-x摩尔的硅粉、x摩尔的碳化硅粉和2-x摩尔的碳粉混合，其中0.2＜x＜0.5，再加入无水乙醇湿混5～30小时，自然晾干；二、向混合物料施加15～45MPa的压力10～15s，压成预制坯，将预制坯放入钢制模具中，钢制模具与预制坯之间的空隙用石英砂填充，在预制坯的上表面点火，燃烧反应开始；三、燃烧结束后1～5s开始施加150～500MPa的压力，保压10～15s，再将反应产物埋入石英砂冷却至室温：即得到Ti3SiC2块体。