发明名称 形成单层纳米结构的方法和器件以及包含这种单层的器件
摘要 提供了形成纳米结构阵列或对纳米结构阵列形成图案的方法。所述方法涉及在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列,用光刻胶形成图案,和/或用器件促进形成阵列。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关器件,以及包含纳米结构阵列的器件(例如存储器)。
申请公布号 CN101076880B 申请公布日期 2010.09.15
申请号 CN200580018709.3 申请日期 2005.06.07
申请人 奈米系统股份有限公司 发明人 D·L·希尔德;K·C·克鲁登;段镶锋;刘超;J·W·帕斯
分类号 H01L21/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/31(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 朱黎明
主权项 一种形成纳米结构阵列的方法,该方法包括:提供第一层;用包含纳米结构缔合基团的组合物涂覆该第一层,提供经涂覆的第一层;将许多纳米结构沉积在经涂覆的第一层上,每个所述纳米结构包括含有与该纳米结构表面缔合的配位体的涂层,所述纳米结构缔合基团与所述配位体相互作用,从而使纳米结构与纳米结构缔合基团相缔合;除去未与纳米结构缔合基团相缔合的纳米结构,得到与经涂覆的第一层缔合的纳米结构单层阵列。
地址 美国加利福尼亚州