硒化锡存储装置和制造该存储装置的方法

摘要

本发明揭示用于提供可对存储器装置进行有限次数编程的方法和设备。根据示范性实施例，存储器装置及其形成方法提供第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的含有硫属化物或锗的材料层。所述存储器装置进一步包含位于所述含有硫属化物或锗的材料层与所述第二电极之间的锡硫属化物层。

主权项

一种存储器装置，其包括：第一电极；第二电极；晶体硫属化物或半金属材料的材料层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及锡硫属化物层，其位于所述材料层与所述第二电极之间，所述锡硫属化物层的厚度与所述材料层的厚度之比小于4∶3。