用于改善有机电子元件中空穴注入的新型材料及该材料的应用

摘要

本发明涉及用于空穴传输层的p型掺杂的新型材料，如式(1)给出的噻唑啉化合物，其中通过所述材料的较高蒸发温度和/或玻璃形成特性来克服现有技术的缺点，尤其是已知p型掺杂材料的较差可蒸发性。

主权项

1.一种用于掺杂有机半导体元件的空穴传输层的材料，其特征在于，在所述材料中，受主特性与高于150℃的蒸发温度和/或玻璃形成特性结合存在，所述材料包含下面结构1的杂环苯醌二甲烷衍生物其中，取代基R¹至R⁵可以互相独立地选择，并且代表氢、氯、氟、硝基和/或氰基，或者取代基R¹至R⁵互相独立地被苯基取代基和/或可形成稠合的芳香族取代基的结构单元替代，其在周围又可以除了氢以外还带有氯和/或氟取代基。