| 发明名称 | 在SiC衬底上形成的GaN基LED | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101834245A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010156574.X | 申请日期 | 2002.06.12 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | D·T·埃默森;A·C·阿贝尔;M·J·伯格曼 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I;F21S2/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 一种LED的制造方法，该方法包括：在SiC衬底上生长导电类型与所述衬底相同的第一GaN层；在所述第一GaN层上生长超晶格，该超晶格包括选自GaN、InxGa1-xN其中0＜x＜1和AlxInyGa1-x-yN其中x+y＜1的交替层的多个重复系列；在所述超晶格上生长导电类型与所述第一GaN层相同的第二GaN层；在所述第二GaN层上生长III族氮化物多量子阱；在所述多量子阱上生长第三GaN层；在所述第三GaN层上生长导电类型与所述SiC衬底和所述第一GaN层相反的接触结构；形成对所述SiC衬底的欧姆接触；及形成对所述接触结构的欧姆接触。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||