| 发明名称 | 磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁电随机存储单元，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。本发明还提供一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101834271A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010116951.7 | 申请日期 | 2010.03.02 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 南策文;李峥;舒立;胡嘉冕;王婧;马静;林元华 |
| 分类号 | H01L43/00(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 廖元秋 |
| 主权项 | 一种磁电随机存储单元，其特征在于，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。 | ||
| 地址 | 100084 北京市100084-82信箱 | ||