发明名称 电容式感测装置及其制作方法
摘要 本发明有关于一种电容式感测装置及其制作方法,尤指一种可利用CMOS工艺大量制造并借此降低生产成本的电容式感测装置及其制作方法,其主要于一基板上依序设有一定位层、一绝缘层及一金属层,在定位层的预设位置上设有一开口部,金属层设有多个通孔,而定位层及绝缘层间形成两侧凹型态样的空腔部,并将一振膜卡设于空腔部内,以成为一悬浮式振膜,借此,在热胀冷缩时,空腔部内的振膜将可完全形变,以避免内应力的产生,而影响到感测的准确性。
申请公布号 CN101835076A 申请公布日期 2010.09.15
申请号 CN200910127258.7 申请日期 2009.03.12
申请人 芯巧科技股份有限公司;梁伟成 发明人 梁伟成;林昶伸
分类号 H04R19/00(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I 主分类号 H04R19/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;祁建国
主权项 一种电容式感测装置,其特征在于,其构造包括有:一基板,其上表面设有一定位层,并于预设位置上设有一开口部;一第一绝缘层,设置在该定位层上,该第一绝缘层与该定位层间形成两侧凹型态样的一空腔部,一振膜将卡设在该空腔部内;及一第一金属层,设在该第一绝缘层上方,设有多个通孔,并且该振膜设于该通孔与该开口部间的相对位置上。
地址 中国台湾新竹市