| 发明名称 | 有机EL器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供能够长期维持优异的发光效率的有机EL器件及其制造方法，特别是顶部发射型有机EL器件及其制造方法。本发明的有机EL器件包括基板和在基板上形成的有机EL元件，其特征在于：有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，保护层由1个或多个无机膜构成，1个或多个无机膜中的至少1个是SiN:H膜，通过红外吸收光谱测定求出的SiN:H膜中的N-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.06且为0.1以下、并且Si-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.12且为0.17以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101836502A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200880019630.6 | 申请日期 | 2008.07.24 |
| 申请人 | 富士电机控股株式会社 | 发明人 | 内海诚 |
| 分类号 | H05B33/04(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H05B33/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种有机EL器件，其包括基板和在所述基板上形成的有机EL元件，其特征在于：所述有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，所述保护层由1个或多个无机膜构成，所述1个或多个无机膜中的至少1个是含氢的氮化硅膜，通过红外吸收光谱测定求出的所述含氢的氮化硅膜中的N-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.06且为0.1以下、并且Si-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.12且为0.17以下。 | ||
| 地址 | 日本川崎市 | ||