| 发明名称 | 一种存储电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种存储电路，包括不交叠时钟模块和信息存储模块，其中：所述不交叠时钟模块，用于为所述信息存储模块提供两路不交叠时钟信号，所述不交叠时钟信号是指不同时为高电平的时钟信号；所述信息存储模块，用于在所述两路不交叠时钟信号的控制下，保存短时间数字信息。本发明存储电路可以满足无源射频识别标签对低功耗的要求，并且能够在电流较小的情况下很好地控制信息更改时间。 | ||
| 申请公布号 | CN101833990A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200910300852.1 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 国民技术股份有限公司 | 发明人 | 孙迎彤;周盛华 |
| 分类号 | G11C11/404(2006.01)I;G11C11/4076(2006.01)I;H03K19/173(2006.01)I;G11C11/4091(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/404(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种存储电路，其特征在于，包括不交叠时钟模块和信息存储模块，其中：所述不交叠时钟模块，用于为所述信息存储模块提供两路不交叠时钟信号，所述不交叠时钟信号是指不同时为高电平的时钟信号；所述信息存储模块，用于在所述两路不交叠时钟信号的控制下，保存短时间数字信息。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302 | ||