| 发明名称 | 一种硼酸根插层类水滑石化合物的清洁制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硼酸根插层类水滑石化合物的清洁制备方法。本发明利用类水滑石化合物层间阴离子的可调控性，基于原子经济反应将硼酸根离子插入类水滑石化合物的层间，生成了层间阴离子为B(OH)4-和/或B3O3(OH)4-的硼酸根插层类水滑石。本发明制备过程中原料中的全部原子均参加反应生成目标产物，无副产物生成，产物不需要经过洗涤就可以直接进行过滤、干燥得到纯净产品，大大节约了洗涤用水，保护了环境。 | ||
| 申请公布号 | CN101830490A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010148480.8 | 申请日期 | 2010.04.16 |
| 申请人 | 北京泰克来尔科技有限公司 | 发明人 | 吕志;陈秋华;林彦军;宋家庆;徐向宇 |
| 分类号 | C01F7/02(2006.01)I | 主分类号 | C01F7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 | 代理人 | 张韬;张洪年 |
| 主权项 | 一种硼酸根插层类水滑石化合物，其特征在于，其化学组成式为：[Mg1-xAlx(OH)2]An-x/n·mH2O其中，An-为层间硼酸根阴离子，包括：B(OH)4-和/或B3O3(OH)4-；X为主体层板中三价Al离子摩尔分数，其取值范围是0.2≤X≤0.33；m为结晶水的数量，其取值范围是0≤m≤2。 | ||
| 地址 | 100013 北京市朝阳区北三环东路28号易亨大厦501 | ||