发明名称 使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法
摘要 本发明涉及微丝电极阵列的装配技术,特别涉及一种使用硅阵列孔装配微丝电极的技术。采用普通光刻和化学各向异性腐蚀的方法,能够制作具有高精度、低成本、孔径和排布方式可控的硅阵列孔,通过环氧树脂的固定来完成微丝电极的二维或三维装配。本方法适合小尺寸微丝电极阵列的组装及器件封装,阵列孔可以方便的根据微丝的半径、间距、排布方式等进行用户定制。
申请公布号 CN101543406B 申请公布日期 2010.09.15
申请号 CN200810102800.9 申请日期 2008.03.26
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 陈弘达;朱琳;裴为华;张旭
分类号 A61B5/0478(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 A61B5/0478(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:选择一表面晶向为100的硅片;在所述硅片上制作出侧壁光滑的阵列孔;根据电极植入深度确定微丝长度,将记录端削尖以记录信号;将微丝记录端垂直插入所述硅片的阵列孔,调节微丝记录端长度,并使每根微丝电极在垂直方向上互相平行,在所述阵列孔背面涂覆环氧树脂,并置于烘箱中加热,用于将微丝电极阵列固定在阵列孔中;将微丝电极阵列的连接端与外部电路相连;在所述连接处涂覆环氧树脂并加热固化,实现绝缘并保持其机械性能稳定。
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