发明名称 |
使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法 |
摘要 |
本发明涉及微丝电极阵列的装配技术,特别涉及一种使用硅阵列孔装配微丝电极的技术。采用普通光刻和化学各向异性腐蚀的方法,能够制作具有高精度、低成本、孔径和排布方式可控的硅阵列孔,通过环氧树脂的固定来完成微丝电极的二维或三维装配。本方法适合小尺寸微丝电极阵列的组装及器件封装,阵列孔可以方便的根据微丝的半径、间距、排布方式等进行用户定制。 |
申请公布号 |
CN101543406B |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
申请号 |
CN200810102800.9 |
申请日期 |
2008.03.26 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
陈弘达;朱琳;裴为华;张旭 |
分类号 |
A61B5/0478(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
A61B5/0478(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:选择一表面晶向为100的硅片;在所述硅片上制作出侧壁光滑的阵列孔;根据电极植入深度确定微丝长度,将记录端削尖以记录信号;将微丝记录端垂直插入所述硅片的阵列孔,调节微丝记录端长度,并使每根微丝电极在垂直方向上互相平行,在所述阵列孔背面涂覆环氧树脂,并置于烘箱中加热,用于将微丝电极阵列固定在阵列孔中;将微丝电极阵列的连接端与外部电路相连;在所述连接处涂覆环氧树脂并加热固化,实现绝缘并保持其机械性能稳定。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |