发明名称 | 发光器件 | ||
摘要 | 一种发光器件,包括:具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构;在所述发光结构上的第一电极;和在所述发光结构上的光子逸出层。此外,光子逸出层的折射率在发光结构的折射率和发光结构的封装材料的折射率之间,使得由所述发光结构发出的光子的逸出概率得到提高。 | ||
申请公布号 | CN101834242A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
申请号 | CN201010004417.7 | 申请日期 | 2010.01.15 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 宋炫暾 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
主权项 | 一种发光器件,包括:包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构;在所述发光结构上的第一电极;和在所述发光结构上的光子逸出层,其中所述光子逸出层具有在所述发光结构的折射率和所述发光结构的封装材料的折射率之间的折射率,使得由所述发光结构发射的光子的逸出概率提高。 | ||
地址 | 韩国首尔 |