致密山形鳍状场效应晶体管以及其制造方法

摘要

一种用于形成finFET的方法、结构和对准过程。所述方法包括：利用第一掩模限定finFET的第一鳍状物，以及利用第二掩模限定finFET的第二鳍状物。所述结构包括一体化的单晶半导体材料的第一和第二鳍状物，并且第一和第二鳍状物的纵轴以相同晶向对准但彼此偏移。所述对准过程包括同时将栅极掩模上的对准标记与对准目标对准，所述对准目标通过用于限定第一鳍状物的第一掩模和用于限定第二鳍状物的第二掩模分离地形成。

主权项

一种方法，包括：提供衬底，所述衬底具有形成于体衬底的顶部表面上的绝缘层以及形成在所述绝缘层的顶部表面上的单晶半导体层；将第二光掩模上的第二鳍状物图案与第一光掩模上的第一鳍状物图案对准，所述第一鳍状物图案具有第一和第二末端，所述第二鳍状物图案具有第一和第二末端；在所述半导体层中形成第一finFET的鳍状物，所述第一finFET的鳍状物通过所述第一鳍状物图案限定；以及在所述半导体层中形成第二finFET的鳍状物，所述第二finFET的鳍状物通过所述第二鳍状物图案限定。