| 发明名称 | 用于薄膜太阳能应用的微晶硅沉积 | ||
| 摘要 | 如权利要求所述的本发明的实施例涉及一种薄膜多结太阳能电池以及用于形成该太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中提供了一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法。该方法包括：在反应区中放置基板；将混合气体提供至反应区，其中所述混合气体包括含硅化合物和氢气；以第一沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第一区域；以高于第一沉积速率的第二沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第二区域；以及以低于第二沉积速率的第三沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101836299A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200880112704.0 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 蔡容基;崔寿永;盛殊然 |
| 分类号 | H01L31/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;谢雪闽 |
| 主权项 | 一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法，包括：在反应区中放置基板；将混合气体提供至反应区，其中所述混合气体包括含硅气体和氢气；以第一沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第一区域；以高于所述第一沉积速率的第二沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第二区域；以及以低于所述第二沉积速率的第三沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||