| 发明名称 | 用于制造薄膜光伏系统的方法以及薄膜光伏系统 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种用于制造薄膜光伏系统(2)的方法，该系统具有作为阳光吸收体的平面金属硫族化合物半导体层(7)以及施加在所述金属硫族化合物半导体层上的金属层(8)，其中所述金属硫族化合物半导体层(7)和所述金属层(8)在其接触面上形成肖特基触点。所述技术方案的特征在于，通过将含有直径为约3nm至约30nm的纳米级颗粒的分散体施加到透明基材(12)上而制成所述金属硫族化合物半导体层(7)，其中施加到基材上的所述金属硫族化合物半导体层(7)的层厚度为约150nm至约2500nm。 | ||
| 申请公布号 | CN101834231A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010174104.6 | 申请日期 | 2010.02.05 |
| 申请人 | 齐伦投资专利II两合公司 | 发明人 | D·奥斯特曼 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/048(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 用于制造薄膜光伏系统(2)的方法，该系统具有作为阳光吸收体的平面金属硫族化合物半导体层(7)以及施加在所述金属硫族化合物半导体层上的金属层(8)，其中所述金属硫族化合物半导体层(7)和所述金属层(8)在其接触面上形成肖特基触点，其特征在于，所述金属硫族化合物半导体层(7)是通过将含有直径为约3nm至约30nm的纳米级颗粒的分散体施加到透明基材(12)上而制成的，其中施加到基材上的所述金属硫族化合物半导体层(7)的层厚度为约150nm至约2500nm。 | ||
| 地址 | 德国舍纳费尔德 | ||