| 发明名称 | 一种基于金属诱导的多晶硅薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制备方法，包括：在玻璃衬底上沉积阻挡层，并沉积非晶硅薄膜；在所述非晶硅薄膜上形成覆盖层，并在所述覆盖层上刻蚀诱导口；在所示覆盖层上形成金属诱导薄膜，使所述金属诱导薄膜在所示诱导口处与所示非晶硅薄膜接触；进行第一步退火过程，在所述诱导口下方的非晶硅薄膜中得到多晶硅岛；在所述金属诱导薄膜上沉积金属吸收层，进行第二次退火过程，形成晶粒均匀分布的晶化薄膜；去除所述金属吸收层和所述覆盖层。 | ||
| 申请公布号 | CN101834139A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010112013.X | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 黄宇华;黄飚;彭俊华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种多晶硅薄膜的制备方法，包括：步骤10)、在玻璃衬底上沉积阻挡层，并沉积非晶硅薄膜；步骤20)、在所述非晶硅薄膜上形成覆盖层，并在所述覆盖层上刻蚀诱导口；步骤30)、在所示覆盖层上形成金属诱导薄膜，使所述金属诱导薄膜在所示诱导口处与所示非晶硅薄膜接触；步骤40)、进行第一步退火过程，在所述诱导口下方的非晶硅薄膜中得到多晶硅岛；步骤50)、在所述金属诱导薄膜上沉积金属吸收层，进行第二次退火过程，形成晶粒均匀分布的晶化薄膜；步骤60)、去除所述金属吸收层和所述覆盖层。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||