| 发明名称 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供一种磁记录膜用溅射靶及其制造方法，该溅射靶能够通过抑制晶粒的生长并形成为低导磁率且高密度，从而实现成膜的高效化以及膜特性的提高。本发明是一种磁记录膜用溅射靶，该溅射靶是由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成的，其特征在于，导磁率为6～15，相对密度为90％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101835920A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200880112423.5 | 申请日期 | 2008.10.21 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 加藤和照 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22F3/00(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄丽娟;朱梅 |
| 主权项 | 一种磁记录膜用溅射靶，所述溅射靶是由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成的，其特征在于，导磁率为6～15，相对密度为90％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||