一种晶化薄膜的晶体管器件的制备方法

摘要

本发明提供一种晶体管器件的制备方法，包括：在玻璃衬底上沉积阻挡层，并沉积非晶硅薄膜；在所述非晶硅薄膜上形成覆盖层，并在所述覆盖层上刻蚀诱导口；在所示覆盖层上形成金属诱导薄膜，使所述金属诱导薄膜在所示诱导口处与所示非晶硅薄膜接触；进行第一步退火过程，在所述诱导口下方的非晶硅薄膜中得到多晶硅岛；在所述金属诱导薄膜上沉积金属吸收层，进行第二次退火过程，形成晶粒均匀分布的晶化薄膜；去除所述金属吸收层和所述覆盖层，得到多晶硅薄膜；用所述多晶硅薄膜加工非晶硅薄膜晶体管(TFT)有源岛图案，形成栅电极，沉积绝缘层，开栅、源、漏电极的接触孔，溅射金属电极，沉积金属互连层。

主权项

一种晶体管器件的制备方法，包括：步骤10)、在玻璃衬底上沉积阻挡层，并沉积非晶硅薄膜；步骤20)、在所述非晶硅薄膜上形成覆盖层，并在所述覆盖层上刻蚀诱导口；步骤30)、在所示覆盖层上形成金属诱导薄膜，使所述金属诱导薄膜在所示诱导口处与所示非晶硅薄膜接触；步骤40)、进行第一步退火过程，在所述诱导口下方的非晶硅薄膜中得到多晶硅岛；步骤50)、在所述金属诱导薄膜上沉积金属吸收层，进行第二次退火过程，形成晶粒均匀分布的晶化薄膜；步骤60)、去除所述金属吸收层和所述覆盖层，得到多晶硅薄膜；步骤70)、用所述多晶硅薄膜加工非晶硅薄膜晶体管(TFT)有源岛图案，沉积20-200纳米厚的低温氧化硅的栅氧化层，形成栅电极，N、P型掺杂源被离子注入到有源层中，并形成重掺杂的源漏区间；沉积绝缘层，开栅、源、漏电极的接触孔，溅射金属电极，沉积金属互连层。