采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺

摘要

本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through Silicon Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面DRIE刻蚀出TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆正面经对准后在键合机中进行BCB低温键合；将TSV晶圆减薄后制作TSV后续工艺。本发明提供的TSV封装制作工艺具有较高的可靠性，采用的设备和工艺均为半导体加工的常规工艺和设备。

主权项

一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于所述的制作工艺是利用BCB低温键合的裸支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作的，具体工艺步骤是：(1)在裸支撑晶圆上首先溅射一层Au层，然后涂覆层BCB，BCB经光刻后成型，使即将键合TSV通孔位置处的BCB去除；(2)以SiO2为掩膜，采用DRIE方法刻蚀TSV晶圆，正面形成TSV阵列图形；(3)将裸支撑晶圆涂覆有BCB的一面与步骤2所述的TSV晶面的正面进行对准，使TSV通孔开口处与裸支撑晶圆上去掉BCB的位置对准后，在键合机中进行升温加压键合；(4)升温加压键合后，用CMP方法将TSV晶圆背面进行研磨，使TSV上的阵列图形露出，BCB作为键合介质将TSV晶圆与裸支撑晶圆键合在一起；裸支撑晶圆上的金属层作为下一步电镀TSV的种子层。