| 发明名称 | SOI(绝缘体上硅)结构的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101836281A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200880112534.6 | 申请日期 | 2008.10.20 |
| 申请人 | 株式会社电装;信越半导体株式会社 | 发明人 | 大槻浩;坚田满孝;能登宣彦;竹野博;吉田和彦 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈珊;刘兴鹏 |
| 主权项 | 一种SOI结构的半导体装置，包括：SOI基片(100)，其包括由单晶硅制成的硅基片(1)、由单晶硅制成的第一导电型活性层(3)和位于所述硅基片(1)和活性层(3)之间的埋入绝缘层(2)；和第二导电型层(5，8，9)，其形成在所述活性层(3)的表面部分内，与所述活性层(3)一起构成PN结，其中所述活性层(3)的硅晶格发生变形以形成作为吸附点的晶格畸变层(4)。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||