| 发明名称 | 能形成致密硅质薄膜的含聚硅氮烷的组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种含聚硅氮烷的组合物，与已知的含聚硅氮烷的组合物相比，其能更快速并在更低的温度下形成致密硅质薄膜。在形成硅质薄膜的过程中，将包含聚硅氮烷化合物、特定的胺化合物和溶剂的组合物涂覆于衬底上并转变为硅质物质。该特定的胺化合物优选包含以5个或更多个C-C键的间隔距离相互分开的2个胺基，并且该胺基优选具有烃取代基团。 | ||
| 申请公布号 | CN101835847A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200880112428.8 | 申请日期 | 2008.10.27 |
| 申请人 | AZ电子材料(日本)株式会社 | 发明人 | 尾崎祐树 |
| 分类号 | C08L83/16(2006.01)I;C08G77/62(2006.01)I;C08K5/17(2006.01)I;C09D7/12(2006.01)I;C09D183/16(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | C08L83/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.一种含聚硅氮烷的组合物，包含：聚硅氮烷化合物，下式(A)或下式(B)表示的胺化合物：<img file="FPA00001105856900011.GIF" wi="932" he="212" />(其中R<sup>A</sup>各自独立地表示氢或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烃基，并满足以下条件：连接到同一个氮原子上的两个R<sup>A</sup>不同时是氢，L<sup>1</sup>和L<sup>2</sup>各自独立地表示-CH<sub>2</sub>-、-NR<sup>A1</sup>-(其中R<sup>A1</sup>是氢或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烃基)或-O-，p1和p3各自独立地是0～4的整数，和p2是1～4的整数)<img file="FPA00001105856900012.GIF" wi="1381" he="227" />(其中R<sup>B</sup>各自独立地表示氢或C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烃基，和q1和q2各自独立地是1～4的整数)，以及能溶解所述聚硅氮烷化合物和所述胺化合物的溶剂。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||