| 主权项 |
一种双向(bidirectional)控制装置，用以接收一第一输入讯号源与一第二输入讯号源所提供之输入讯号，并用以提供二个输出信号于一第一输出讯号源与一第二输出讯号源，该双向控制装置包括：一第一金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第一金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第一输入讯号源，该第一金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第一输出讯号源，且该第一金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第一金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；一第二金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第二金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第一输入讯号源，该第二金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第二输出讯号源，且该第二金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第二金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；一第三金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第三金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第二输入讯号源，且该第三金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第一输出讯号源，且该第三金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第三金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；及一第四金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第四金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第二输入讯号源，该第四金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第二输出讯号源，且该第四金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第四金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；其中该第一金氧半电晶体组、该第二金氧半电晶体组、该第三金氧半电晶体组、与该第四金氧半电晶体组皆包含相同数目之金氧半电晶体。如请求项1所述之双向控制装置，其中该第一金氧半电晶体组包含之复数个金氧半电晶体之闸极系以一一对应之关系耦接于该第四金氧半电晶体组包含之复数个金氧半电晶体之闸极。如请求项1所述之双向控制装置，其中该第二金氧半电晶体组包含之复数个金氧半电晶体之闸极系以一一对应之关系耦接于该第三金氧半电晶体组包含之复数个金氧半电晶体之闸极。如请求项1所述之双向控制装置，其中每一金氧半电晶体组所包含之金氧半电晶体系皆为N型金氧半电晶体。如请求项4所述之双向控制装置，其中该第一金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第一金氧半电晶体组之输入端，且该第一金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第一金氧半电晶体组之输出端。如请求项4所述之双向控制装置，其中该第二金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第二金氧半电晶体组之输入端，且该第二金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第二金氧半电晶体组之输出端。如请求项4所述之双向控制装置，其中该第三金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第三金氧半电晶体组之输入端，且该第三金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第三金氧半电晶体组之输出端。如请求项4所述之双向控制装置，其中该第四金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第四金氧半电晶体组之输入端，且该第四金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第四金氧半电晶体组之输出端。如请求项1所述之双向控制装置，其中每一金氧半电晶体组所包含之金氧半电晶体系皆为P型金氧半电晶体。如请求项9所述之双向控制装置，其中该第一金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第一金氧半电晶体组之输入端，且该第一金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第一金氧半电晶体组之输出端。如请求项9所述之双向控制装置，其中该第二金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第二金氧半电晶体组之输入端，且该第二金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第二金氧半电晶体组之输出端。如请求项9所述之双向控制装置，其中该第三金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第三金氧半电晶体组之输入端，且该第三金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第三金氧半电晶体组之输出端。如请求项9所述之双向控制装置，其中该第四金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之汲极系耦接于该第四金氧半电晶体组之输入端，且该第四金氧半电晶体组包含之每一金氧半电晶体之源极系耦接于该第四金氧半电晶体组之输出端。如请求项1所述之双向控制装置，其中当该第一金氧半电晶体组所包含之一金氧半电晶体之闸极处于高准位时，该第二金氧半电晶体组所包含之所有金氧半电晶体之闸极系处于低准位。如请求项1所述之双向控制装置，其中当该第二金氧半电晶体组所包含之一金氧半电晶体之闸极处于高准位时，该第一金氧半电晶体组所包含之所有金氧半电晶体之闸极系处于低准位。如请求项1所述之双向控制装置，其中当该第四金氧半电晶体组所包含之一金氧半电晶体之闸极处于高准位时，该第三金氧半电晶体组所包含之所有金氧半电晶体之闸极系处于低准位。如请求项1所述之双向控制装置，其中当该第三金氧半电晶体组所包含之一金氧半电晶体之闸极处于高准位时，该第四金氧半电晶体组所包含之所有金氧半电晶体之闸极系处于低准位。如请求项1所述之双向控制装置，其中于二连续周期间系存在有该第一金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第一金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位的准位交替时间差，且于该准位交替时间差内，该第一金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第一金氧半电晶体组之其他金氧半电晶体之闸极之准位系相同。如请求项1所述之双向控制装置，其中于二连续周期间系存在有该第四金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第四金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位的准位交替时间差，且于该准位交替时间差内，该第四金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第四金氧半电晶体组之其他金氧半电晶体之闸极之准位系相同。如请求项1所述之双向控制装置，其中于二连续周期间系存在有该第二金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第二金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位之间的准位交替时间差，且于该准位交替时间差内，该第二金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第二金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位系相同。如请求项1所述之双向控制装置，其中于二连续周期间系存在有该第三金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第三金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位之间的准位交替时间差，且于该准位交替时间差内，该第三金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第三金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位系相同。一种用于移位暂存器之双向控制装置，该双向控制装置包括：一第一移位暂存器、一第二移位暂存器、及一第三移位暂存器，该三移位暂存器皆包含一第一输入端、一第二输入端、及一输出端；一第一金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第一金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第一移位暂存器之输出端，且该第一金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第三移位暂存器之第一输入端，且该第一金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第一金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；一第二金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第二金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第一移位暂存器之输出端，且该第二金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第三移位暂存器之第二输入端，且该第二金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第二金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；一第三金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第三金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第二移位暂存器之输出端，且该第三金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第三移位暂存器之第一输入端，且该第三金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第三金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；及一第四金氧半电晶体组，包含复数个并联且同型之金氧半电晶体，该第四金氧半电晶体组之输入端系耦接于该第二移位暂存器之输出端，且该第四金氧半电晶体组之输出端系耦接于该第三移位暂存器之第二输入端，且该第四金氧半电晶体组所包含之任一金氧半电晶体之闸极之准位与该第四金氧半电晶体组所包含之其他金氧半电晶体之闸极之准位在同一周期内系为互斥；其中该第一金氧半电晶体组、该第二金氧半电晶体组、该第三金氧半电晶体组、与该第四金氧半电晶体组皆包含相同数目之金氧半电晶体。 |
