| 主权项 |
一种电子线或EUV用光阻组成物，其系含有(A)具有酸解离性溶解抑制基之化合物，及(B)酸产生剂、光阻溶剂之电子线或EUV用光阻组成物，其特征系将选自丙二醇单甲醚(PGME)、甲基戊基酮(MAK)、乙酸丁酯(BuOAc)、3-甲基甲氧基丙酸酯(MMP)之1种以上含有90质量%以上之有机溶剂用于前述光阻溶剂，前述(A)成分为于酯侧链部具有含多环式基之酸解离性溶解抑制基，且于主链有衍生自(甲基)丙烯酸酯的构成单元，经酸之作用，硷可溶性加大之树脂成分，前述(A)成分含有下述一般式(I)表示之构成单元(a1)@sIMGTIF!d10024.TIF@eIMG!(式中R示-H或-CH3)，前述(B)成分为含有选自重氮甲烷系酸产生剂、鎓盐类及肟磺酸酯化合物之至少一种。如申请专利范围第1项之电子线或EUV用光阻组成物，其中曝光前及后的曝光系统内环境气体之总压力变化量为未达4.0×10-5Pa。如申请专利范围第1项之电子线或EUV用光阻组成物，其中该(A)、(B)成分外，再含有(C)含氮化合物。一种光阻图型之形成方法，其特征系将申请专利范围第1项至第3项中任一项之电子线或EUV用光阻组成物涂布于基板上，经预烘烤，在真空中以电子线或EUV选择性曝光或描绘后，施以PEB(曝光后加热)，硷显像形成光阻图型。如申请专利范围第1项之电子线或EUV用光阻组成物，其中(B)成分之添加量系相对于(A)成分100质量份，添加1至20质量份。 |
