发明名称 单分散银、硫化银及硒化银奈米晶的制备方法
摘要
申请公布号 TWI330169 申请公布日期 2010.09.11
申请号 TW096112607 申请日期 2007.04.10
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 李亚栋;王定胜
分类号 C01G5/00 主分类号 C01G5/00
代理机构 代理人
主权项 一种单分散银奈米晶的制备方法,其包括以下步骤:将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中,于160℃至300℃温度下反应1至10分钟;将反应沈积物以乙醇洗涤后,于40℃至80℃温度下烘乾,即获得单分散银奈米晶。如申请专利范围第1项所述的单分散银奈米晶的制备方法,其中,单分散银奈米晶的粒径为6至12奈米。一种单分散硫化银奈米晶的制备方法,其包括以下步骤:将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中,于160℃至300℃温度下反应1至10分钟;将硫粉放入上述反应体系后继续反应8至12分钟,且硫粉与硝酸银的摩尔比为1:2;将反应沈积物以乙醇洗涤后,于40℃至80℃温度下烘乾,即获得单分散硫化银奈米晶。如申请专利范围第3项所述的单分散硫化银奈米晶的制备方法,其中,单分散硫化银奈米晶的粒径为6至12奈米。一种单分散硒化银奈米晶的制备方法,其包括以下步骤:将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中,于160℃至300℃温度下反应1至10分钟;将硒粉放入上述反应体系后继续反应8至12分钟,且硒粉与硝酸银的摩尔比为1:2;将反应沈积物以乙醇洗涤后,于40℃至80℃温度下烘乾,即获得单分散硒化银奈米晶。如申请专利范围第5项所述的单分散硒化银奈米晶的制备方法,其中,单分散硒化银奈米晶的粒径为6至12奈米。
地址 台北县土城市自由街2号