发明名称 制造互连之方法
摘要
申请公布号 TWI330397 申请公布日期 2010.09.11
申请号 TW094143011 申请日期 2005.12.06
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 史蒂芬 强斯顿;琼安 多明盖兹
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种制造互连之方法,包含:提供至少一介电层;形成延伸入该至少一介电层之至少一开口,其中该开口由至少一侧界定;接续地沉积第一金属以及第二金属至少于该开口内,其中该第一金属系选自由钽、钛、钨、钼以及锆所组成之族群,及其中该第二金属系选自由钌、铼、锇以及金所组成之族群;将该第一金属以及该第二金属退火以形成合金底层;以及镀上至少一导电材料以填补该开口并邻接该底层。如申请专利范围第1项之方法,其中沉积该第一金属包含沉积碳化的第一金属。如申请专利范围第1项之方法,其中沉积该第一金属包含沉积氮化的第一金属。
地址 美国