发明名称 漂浮闸之快闪记忆体清除资料与更改资料的方法
摘要
申请公布号 TWI330371 申请公布日期 2010.09.11
申请号 TW096121016 申请日期 2007.06.11
申请人 联笙电子股份有限公司 发明人 王永欣;颜定国;陈怡男
分类号 G11C16/14 主分类号 G11C16/14
代理机构 代理人 戴俊彦 台北县永和市福和路389号6楼之3;吴丰任 台北县永和市福和路389号6楼之3
主权项 一种漂浮闸(floating gate)之快闪记忆体清除资料的方法,包含:根据一控制指令清除一第一组记忆单元之资料;读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之一第二组记忆单元的资料;及将由该第二组记忆单元读取之资料写入该第二组记忆单元。如请求项1所述之方法,其中读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料包含随机读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料。如请求项1所述之方法,其中读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料系为读取与该第一组记忆单元未电性绝缘之记忆单元中之该第二组记忆单元的资料。如请求项3所述之方法,其中读取与该第一组记忆单元未电性绝缘之记忆单元中之该第二组记忆单元的资料系为读取与该第一组记忆单元设置于同一P型井中之该第二组记忆单元的资料。如请求项4所述之方法,其中读取与该第一组记忆单元设置于同一P型井中之该第二组记忆单元的资料系为读取与该第一组记忆单元设置于周围设置绝缘层之同一P型井中之该第二组记忆单元的资料。如请求项1所述之方法,其中根据该控制指令清除该第一组记忆单元之资料系为根据该控制指令清除至少一条字元线(word line)所对应到之记忆单元之资料。如请求项1所述之方法,其中读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料包含读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之一条字元线所对应到之记忆单元的资料。一种漂浮闸之快闪记忆体更改资料的方法,包含:根据一控制指令清除一第一组记忆单元之资料:读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之一第二组记忆单元的资料;将由该第二组记忆单元读取之资料写入该第二组记忆单元;及根据该控制指令更改该第一组记忆单元之资料。如请求项8所述之方法,其中读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料包含随机读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料。如请求项8所述之方法,其中读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料系为读取与该第一组记忆单元未电性绝缘之记忆单元中之该第二组记忆单元的资料。如请求项10所述之方法,其中读取与该第一组记忆单元未电性绝缘之记忆单元中之该第二组记忆单元的资料系为读取与该第一组记忆单元设置于同一P型井中之该第二组记忆单元的资料。如请求项11所述之方法,其中读取与该第一组记忆单元设置于同一P型井中之该第二组记忆单元的资料系为读取与该第一组记忆单元设置于周围设置绝缘层之同一P型井中之该第二组记忆单元的资料。如请求项8所述之方法,其中根据该控制指令清除该第一组记忆单元之资料系为根据该控制指令清除至少一条字元线所对应到之记忆单元之资料。如请求项8所述之方法,其中读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之该第二组记忆单元的资料包含读取会受到清除该第一组记忆单元之资料之行为干扰的记忆区块中之一条字元线所对应到之记忆单元的资料。
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