| 主权项 |
一种层叠体，具备：基底；包括在上述基底上形成的蚀刻停止层及第1剥离层的复合层；以及在上述复合层上形成的半导体薄膜，该层叠体的特征在于：上述蚀刻停止层是与上述半导体薄膜相比难以用第1蚀刻液蚀刻的层；以及上述半导体薄膜是与上述第1剥离层相比难以用第2蚀刻液蚀刻的薄膜。如申请专利范围第1项所述的层叠体，其特征在于：上述蚀刻停止层在上述基底上形成；上述第1剥离层在上述蚀刻停止层上形成；以及上述半导体薄膜在上述第1剥离层上形成。如申请专利范围第1项所述的层叠体，其特征在于：上述第1剥离层在上述基底上形成；上述蚀刻停止层在上述第1剥离层上形成；以及上述半导体薄膜在上述蚀刻停止层上形成。如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的层叠体，其特征在于：上述基底与上述蚀刻停止层相比是难以用第3蚀刻液蚀刻的材料。如申请专利范围第1项至第3项中任一项所述的层叠体，其特征在于：上述基底是GaAs；上述第1剥离层是AlpGa1-pAs(1≧p≧0)；以及停止层是(AlxGa1-x)yIn1-yP层(1≧x≧0、1≧y≧0)。如申请专利范围第5项所述的层叠体，其特征在于：上述半导体薄膜的各层是AlzGa1-zAs(1≧z≧0)。如申请专利范围第6项所述的层叠体，其特征在于：对于上述半导体薄膜的各层的Al组成比z与上述第1剥离层的Al的组成比p，z<p。如申请专利范围第6项所述的层叠体，其特征在于：上述第1剥离层是AlAs。如申请专利范围第5项所述的层叠体，其特征在于：在上述停止层的组成(AlxGa1-x)yIn1-yP中，X=0、0.48≦y≦0.52。如申请专利范围第2项所述的层叠体，其特征在于：进一步具有在上述基底上形成的第2剥离层；上述停止层在上述第2剥离层上形成；以及上述第2剥离层是与上述基底相比容易用上述第1蚀刻液蚀刻、而且也容易用上述第2蚀刻液蚀刻的层。如申请专利范围第10项所述的层叠体，其特征在于：上述基底是GaAs基底；上述第1剥离层是AlpGa1-pAs(1≧p≧0)；上述停止层是(AlxGa1-x)yIn1-yP层(1≧x≧0、1≧y≧0)；以及上述第2剥离层是AlqGa1-qAs(1≧q≧0)。如申请专利范围第11项所述的层叠体，其特征在于：上述半导体薄膜的各层是AlzGa1-zAs(1≧z≧0)。如申请专利范围第12项所述的层叠体，其特征在于：对于上述半导体薄膜的各层的Al组成比z、第1剥离层的Al组成比p、第2剥离层Al组成比q，z<p、z<q。如申请专利范围第11项所述的层叠体，其特征在于：上述第1剥离层的Al组成比p与上述第2剥离层Al组成比q互不相等。如申请专利范围第11项所述的层叠体，其特征在于：上述第1剥离层的厚度与上述第2剥离层的厚度互不相等。如申请专利范围第11项所述的层叠体，其特征在于：对于上述第1剥离层和上述第2剥离层，对于上述第2蚀刻液，上述第2剥离层的蚀刻速度比上述第1剥离层的蚀刻速度大。如申请专利范围第16项所述的层叠体，其特征在于：对于上述第1剥离层的Al组成比p和上述第2剥离层的Al组成比q，p<q。如申请专利范围第11项所述的层叠体，其特征在于：上述第1剥离层和上述第2剥离层是AlAs。如申请专利范围第16项或是第18项所述的层叠体，其特征在于：上述第2剥离层的层厚比上述第1剥离层的层厚大。如申请专利范围第11项所述的层叠体，其特征在于：在上述停止层的组成(AlxGa1-x)yIn1-yP中，是x=0、0.48≦y≦0.52。如申请专利范围第11项所述的层叠体，其特征在于：进一步包括在上述基底上形成的第1缓冲层；上述第2剥离层在上述第1缓冲层上形成；进一步包括在上述第2剥离层上形成的第2缓冲层；上述停止层在上述第2缓冲层上形成；进一步包括在上述停止层上形成的第3缓冲层；以及上述第1剥离层在上述第3缓冲层上形成。如申请专利范围第1项或是第2项所述的层叠体，其特征在于：进一步具有在上述第1剥离层与上述蚀刻停止层之间设置的缓冲层。一种层叠体，它具有：基底；在上述基底上形成的剥离层；以及在上述剥离层上形成的半导体薄膜，该层叠体的特征在于：上述基底与上述半导体薄膜及上述剥离层相比，是难以用第1蚀刻液蚀刻的材料；以及上述基底与上述剥离层相比，是难以用第2蚀刻液蚀刻的材料。如申请专利范围第23项所述的层叠体，其特征在于：上述基底是Si基底，上述半导体薄膜是GaAs系的半导体薄膜。如申请专利范围第24项所述的层叠体，其特征在于：上述半导体薄膜的各层的材料是用AlzGa1-zAs(z≧0)表示的材料。如申请专利范围第24项所述的层叠体，其特征在于：上述剥离层的材料是用AlpGa1-pAs(1≧p>0)表示的材料。如申请专利范围第26项所述的层叠体，其特征在于：对于上述半导体薄膜的各层的Al组成比z和第2磊晶层的Al组成比p，z<p。如申请专利范围第26项所述的层叠体，其特征在于：上述剥离层的材料是用AlAs表示的材料。如申请专利范围第24项所述的层叠体，其特征在于：上述第1基底与上述剥离层相接。如申请专利范围第1项、第2项、第3项、第10项至第18项、第20项及第21项的任一项所述的层叠体，其特征在于：上述半导体薄膜包括：下侧接触层、位于该下侧接触层上的下侧包层、位于该下侧包层上的活性层、位于该活性层上的上侧包层、位于该上侧包层上的上侧接触层。如申请专利范围第30项所述的层叠体，其特征在于：上述半导体薄膜藉由顺序磊晶生长上述下侧接触层、上述下侧包层、上述活性层、上述上侧包层及上述上侧接触层而形成。如申请专利范围第1项或是第2项所述的层叠体，其特征在于：上述基底与上述蚀刻停止层相比难以用第3蚀刻液蚀刻。如申请专利范围第1项或是第3项所述的层叠体，其特征在于：上述基底与上述蚀刻停止层相比难以用第3蚀刻液蚀刻。如申请专利范围第1项、第2项、第3项、第10项至第18项、第20项、第21项及第23项至第29项的任一项所述的层叠体，其特征在于：上述层叠体是构成半导体晶片的层叠体。一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有下述步骤：准备申请专利范围第2项所述的层叠体的步骤；在上述半导体薄膜上形成半导体元件的步骤；用上述第1蚀刻液在上述半导体薄膜中形成沟槽的步骤；以及用上述第2蚀刻液除去上述第1剥离层的步骤。一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有下述步骤：准备申请专利范围第3项所述的层叠体的步骤；在上述半导体薄膜上形成半导体元件的步骤；用上述第1蚀刻液在上述半导体薄膜中形成沟槽的步骤；以及用上述第2蚀刻液除去上述第1剥离层的步骤。一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有下述步骤：准备申请专利范围第32项所述的层叠体的步骤；在上述半导体薄膜上形成半导体元件的步骤；用上述第1蚀刻液在上述半导体薄膜中形成沟槽的步骤；用上述第2蚀刻液除去上述第1剥离层的步骤，以及用第3蚀刻液除去上述停止层的步骤。一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有下述步骤：准备申请专利范围第33项所述的层叠体的步骤；在上述半导体薄膜上形成半导体元件的步骤；用上述第1蚀刻液在上述半导体薄膜中形成沟槽的步骤；用上述第2蚀刻液除去上述第1剥离层的步骤，以及用第3蚀刻液除去上述停止层的步骤。一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有下述步骤：准备申请专利范围第10项至第18项及第20项中的任一项所述的层叠体的步骤；在上述半导体薄膜上形成半导体元件的步骤；用上述第1蚀刻液在上述半导体薄膜中形成沟槽的步骤；用上述第2蚀刻液除去上述第1剥离层的步骤，以及在除去上述第1剥离层的步骤后，除去上述第2剥离层的步骤。如申请专利范围第39项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在除去上述第1剥离层的步骤后，而且，在除去上述第2剥离层的步骤前，进一步具有除去上述停止层的步骤。一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有下述步骤：准备申请专利范围第21项所述的层叠体的步骤；在上述半导体薄膜上形成半导体元件的步骤；用上述第1蚀刻液在上述半导体薄膜中形成沟槽的步骤；用上述第2蚀刻液除去上述第1剥离层的步骤；以及在除去上述第1剥离层的步骤后，藉由除去上述第2剥离层，将上述第3缓冲层、上述停止层及上述第2缓冲层从上述基底分离的步骤。一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有下述步骤：准备申请专利范围第23项至第29项的任一项所述的层叠体的步骤；在上述半导体薄膜上形成半导体元件的步骤；用上述第1蚀刻液在上述半导体薄膜中形成沟槽的步骤；以及藉由用上述第2蚀刻液除去上述剥离层，使上述半导体薄膜从上述基底分离的步骤。 |
