发明名称 具改善流体均匀度之环形分配器
摘要
申请公布号 TWI330106 申请公布日期 2010.09.11
申请号 TW095114917 申请日期 2006.04.26
申请人 LG化学公司 发明人 申相栢;韩相弼;林艺勋
分类号 B01J8/00 主分类号 B01J8/00
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 一种环形分配器,系设置于一反应器之外圆周表面,包括:一多狭缝层,该多狭缝层包括至少二环形层,其中,该环形层以一预定距离为间隔而堆叠,该环形层形成有至少一狭缝以输入或输出一热介质。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,该多狭缝层形成于该环形分配器之一内圆周表面。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,该环形分配器系连接至少一热介质输出管、或热介质输入管。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,当一狭缝层排列于离该多狭缝层的一中心点最外面之部分,称为第一狭缝层,接着呈辐射状向内堆叠于该第一狭缝层之狭缝层,依序称为第二狭缝层、第三狭缝层、…、与第n狭缝层,n为等于2之整数时,第1至第n-1狭缝层其中一层为一具预定角度之弧形。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,当一狭缝层排列于离该多狭缝层的一中心点最外面之部分,称为第一狭缝层,接着呈辐射状向内堆叠于该第一狭缝层之狭缝层,依序称为第二狭缝层、第三狭缝层、…、与第n狭缝层,n为等于2之整数时,该环形分配器的外径D1与该第一狭缝层的直径D2之差(D1-D2),以及该第一狭缝层的直径D2与该第n狭缝层的直径D3之差(D2-D3)介于200至700mm之间或该第n狭缝层的直径D3的5至15%范围内。如申请专利范围第5项所述之环形分配器,其中,该第二狭缝层至该第n-1狭缝层系集中设置于该第一狭缝层与该第n狭缝层之间。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,形成于同一狭缝层之该狭缝之决定位置,系以该狭缝层之圆周的中心点为基准,且每一狭缝之宽度的决定,系以该狭缝层之圆周的中心点为基准,且由该狭缝之两端点形成的弧形角度(β)范围为1至3°。如申请专利范围第7项所述之环形分配器,其中,当该热介质输入管或该热介质输出管设置于该环形分配器中之角度位置为180°,则0至180°之间的角度分割成x个区域(x为等于或大于2之整数),其中,邻接于0°角之区域称为第一区域,接着向180°设置之区域依序称为第二区域、第三区域、…、与第x区域时,形成第x区域中一个或两个狭缝之宽度系调整在介于β至2β范围内之弧形角度。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,当一狭缝层排列于离该多狭缝层的一中心点最外面之部分,称为第一狭缝层,接着呈辐射状向内堆叠于该第一狭缝层之狭缝层,依序称为第二狭缝层、第三狭缝层、…、与第n狭缝层,n为等于2之整数时,形成于该第一狭缝层之狭缝的高度范围介于100至1000mm之间、或该环形分配器之高度H之10至70%之间。如申请专利范围第9项所述之环形分配器,其中,形成于该第一狭缝层之狭缝的高度调整如下:当该热介质输入管或该热介质输出管设置于该环形分配器中180°之角度位置,0至180°角度之间系分割成x个区域(x为等于或大于2之整数),其中该狭缝高度个别变动,且邻接于0°角之区域称为第一区域,而接着向180°设置之区域依序称为第二区域、第三区域、…、与第x区域时,该狭缝高度从第1区域至第x-1区域逐渐增加,而在每一区域内的狭缝高度维持不变,且在到达该热介质输入管或该热介质输出管之该x区域内的狭缝高度逐渐减少;以及形成于对应于180至360°角度之区域的狭缝的高度,系与形成于对应于0至180°角度之区域的狭缝的高度,呈对称。如申请专利范围第10项所述之环形分配器,其中,形成于该第一狭缝层之狭缝的高度调整如下:当该热介质输入管或该热介质输出管设置于该环形分配器中180°之角度位置时,0至180°之间的角度系分割成a至d区域;该狭缝高度从a区域向c区域逐渐增加,而在每一区域内的狭缝高度维持不变,并且在到达该热介质输入管或该热介质输出管之第d区域内的狭缝高度逐渐减少;以及形成于对应于180至360°角度之区域的狭缝的高度,系与形成于对应于0至180°角度之区域的狭缝的高度,呈对称。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,当一狭缝层排列于离该多狭缝层的一中心点最外面之部分,称为第一狭缝层,接着呈辐射状向内堆叠于该第一狭缝层之狭缝层,依序称为第二狭缝层、第三狭缝层、…、与第n狭缝层(n为等于或大于2之整数),形成于第二至第n狭缝层其中一层之狭缝的高度范围介于100至1000mm之间、或该环形分配器之一高度H的10至70%之间。如申请专利范围第12项所述之环形分配器,其中,形成于第二至第n狭缝层其中一层的每一狭缝的高度相同。如申请专利范围第13项所述之环形分配器,其中,形成于第二至第n狭缝层其中一层的狭缝的高度,与形成于第一狭缝层之狭缝的最高高度相同。如申请专利范围第1项所述之环形分配器,其中,当一狭缝层排列于离该多狭缝层的一中心点最外面之部分,称为第一狭缝层,接着呈辐射状向内堆叠于该第一狭缝层之狭缝层,依序称为第二狭缝层、第三狭缝层、…、与第n狭缝层(n为等于或大于2之整数),形成于第二至第n狭缝层之狭缝分布与狭缝高度均相同、或成比例的相同。一种包括有如申请专利范围第1至15项任一项所述之环形分配器之反应器,其中,该环形分配器系设置于一反应器之外圆周表面,包括:一多狭缝层,该多狭缝层包括至少二环形层,其中,该环形层以一预定距离为间隔而堆叠,该环形层形成有至少一狭缝以输入或输出一热介质。一种经由触媒气相氧化反应从烯烃化合物制造不饱和醛或不饱和酸之方法,该方法系利用如申请专利范围第16项所述之反应器达成。
地址 南韩