发明名称 |
基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路 |
摘要 |
本发明涉及一种基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路,包括变压器T1,控制MOSFET管S1,控制MOSFET管S2,控制MOSFET管S3,二极管D1,二极管D2,二极管D3,供电电源Vc1,供电电源Vc2,功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2,其特征在于:所述变压器T1将两个功率MOSFET管Q1和Q2的驱动能量互相传递以驱动这两个功率MOSFET管,控制MOSFET管S1和二极管D1、D2、D3将功率MOSFET管Q1和Q2驱动电压箝位到一定值。本发明可以驱动任意组合的一对互补工作的功率MOSFET开关管,驱动效率高,驱动速度快,器件少,控制简单,具有较好的使用价值。 |
申请公布号 |
CN101826799A |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN201010301094.8 |
申请日期 |
2010.02.02 |
申请人 |
福州大学 |
发明人 |
郭晓君;林维明;李镇福 |
分类号 |
H02M3/335(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/335(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路,包括变压器T1,控制MOSFET管S1,控制MOSFET管S2,控制MOSFET管S3,二极管D1,二极管D2,二极管D3,供电电源Vc1,供电电源Vc2,功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2,其特征在于:所述变压器T1将两个功率MOSFET管Q1和Q2的驱动能量互相传递以驱动这两个功率MOSFET管,控制MOSFET管S1和二极管D1、D2、D3将功率MOSFET管Q1和Q2的驱动电压箝位到一定值。 |
地址 |
350108 福建省闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 |