发明名称 等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极
摘要 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极,控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极,该电极具有:由金属形成的基材(105a);设置在基材(105a)的等离子体侧的面的部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b);和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。
申请公布号 CN101826434A 申请公布日期 2010.09.08
申请号 CN201010128803.7 申请日期 2010.03.08
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 桧森慎司
分类号 H01J37/04(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I 主分类号 H01J37/04(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器;在所述处理容器的内部相互对置、并在其间形成处理空间的第一电极和第二电极;和与所述第一电极和第二电极中的至少一个连接、向所述处理容器内输出高频电力的高频电源,其中,所述第一电极和第二电极中的至少一个包含:由金属形成的基材;在所述基材的等离子体侧的中央部设置的第一电介质;和设置在所述第一电介质和等离子体之间、由金属形成为规定图案的第一电阻体。
地址 日本东京都