制备宽频带吸波磁性多层膜的方法

摘要

本发明涉及一种在基底材料上制备出宽频段吸波层的方法。本发明制备宽频带吸波磁性膜的方法是：首先在基底材料上采用真空溅射法生成截止频率为f1的第一磁性材料层，再在第一磁性材料层上生成第一隔离层，如此重复前述过程，最终在基底上形成由隔离层相隔的由不同截止频率的磁性材料层构成的n层磁性材料薄膜，其中的隔离层可用通常的物理成膜技术生成。

主权项

制备宽频带吸波磁性膜的方法，其特征是：首先在基底材料上采用真空溅射法生成截止频率为f1的第一磁性材料层，再在第一磁性材料层上生成一层由非磁性材料构成的隔离层，然后在隔离层上溅射生成截止频率为f2的第二磁性材料层，再在第二磁性材料层上生成由非磁性金属材料构成的第二隔离层，通过改变靶中心到基片中心的连线与靶法线的夹角α，以得到不同截止频率的磁性材料层；控制各层磁性金属材料层的厚度实现不同磁性金属材料层的磁导率虚部共振吸收的相对强度，如此重复前述过程，在基底上形成由非磁性金属材料构成的隔离层相隔的由不同截止频率的磁性材料层构成的n层磁性材料薄膜，其中的非磁性金属材料隔离层为30～50纳米，在基底材料上形成磁性材料层的方法是在溅射磁性金属靶材的同时还在基底材料上溅射少许非磁性金属材料，其中溅射到基片上的非磁性金属与溅射的磁性金属之原子百分比为3～20。