制造半导体器件的连接插塞的方法

摘要

本发明公开一种制造半导体器件的连接插塞的方法，所述方法包括执行双重图案化工序以分开形成用于存储节点的连接插塞触头孔和用于位线的连接插塞触头孔，从而便于形成具有30nm半间距的器件。

主权项

一种制造半导体器件的连接插塞的方法，所述方法包括：在半导体基板上形成层间绝缘膜；通过使用第一连接插塞触头掩模和第二连接插塞触头掩模的光刻工序蚀刻所述层间绝缘膜，以便于分开形成用于存储节点的连接插塞触头孔和用于位线的连接插塞触头孔；以及填充所述用于存储节点的连接插塞触头孔和所述用于位线的连接插塞触头孔，以形成连接插塞，其中，所述光刻工序还包括按任何顺序执行的下述步骤：采用用于存储节点的连接插塞触头掩模利用第一光刻工序蚀刻所述层间绝缘膜，以形成所述用于存储节点的连接插塞触头孔；以及采用用于位线的连接插塞触头掩模利用第二光刻工序蚀刻所述层间绝缘膜，以形成所述用于位线的连接插塞触头孔。