槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该槽栅(7)位于势垒层的凹槽(6)中，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其中，钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，这些浮空场板与源场板位于同一层面上。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、输出功率高和可靠性好的优点，可制作基于化合物半导体材料异质结的微波功率器件。

主权项

一种槽栅型源场板高电子迁移率器件，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该槽栅(7)位于势垒层的凹槽(6)中，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其特征在于，钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～2.3μm，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，这些浮空场板与源场板位于同一层面上。