Memory cell comprising a capacitor arranged laterally from a transistor,申请号EP20080869018-传众专利搜索

发明名称	Memory cell comprising a capacitor arranged laterally from a transistor
摘要
申请公布号	EP2225773(A2)	申请公布日期	2010.09.08
申请号	EP20080869018	申请日期	2008.12.18
申请人	NXP B.V.	发明人	PUGET, SOPHIE;MAZOYER, PASCALE, L., A.
分类号	H01L21/8242;H01L21/02;H01L27/02;H01L27/07;H01L27/108	主分类号	H01L21/8242
代理机构		代理人
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