一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法

摘要

本发明涉及一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法：先在基底上阴极恒电位电沉积含Cu、Zn、Sn、Se的预制层，再对预制层进行热处理，最终生成铜锌锡硒半导体薄膜。本发明方法克服了传统PVD法或CVD法成本高昂、难于大规模生产等不足，具有镀层化学成分可控、形貌优良、成本低廉，以及易于实现大面积沉积和大规模应用等特点。

主权项

一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法，其特征在于：先在含有铜、锌、锡和硒离子的电沉积溶液中，采用阴极恒电位沉积的方法在基底上沉积含铜、铟、镓和硒的预制层CuZnaSnbSec，a＝0～1，b＝0～1，c＝0～4；其中，电沉积溶液温度为20～80℃，沉积时间为5～300分钟，阴极沉积电位为-3.0～-0.1Vvs.SCE；然后将预制层置于真空、空气、氩气或氮气中，在250～750℃温度下热处理0.1～4.5小时，最终生成铜锌锡硒薄膜。