| 发明名称 | MOS晶体管的形成方法及其阈值电压调节方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOS晶体管的形成方法及其阈值电压调节方法，MOS晶体管的形成方法包括在半导体衬底上直接进行离子注入，形成用于调节阈值电压的离子扩散区；在半导体衬底上形成栅极结构，在栅极结构两侧、半导体衬底中进行离子注入以形成袋状注入区、源和漏延伸区，以及源和漏极，将半导体衬底进行退火。形成所述离子扩散区而注入的离子的能量和剂量，根据MOS晶体管的阈值电压确定。本发明方法不需要增加额外的光罩来单独进行不同尺寸器件阈值电压的平行调节，从而实现了简单、灵活地对阈值电压的调节，缩短了制程工艺周期，节省了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101826464A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200910046886.2 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 神兆旭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上直接进行离子注入，形成用于调节阈值电压的离子扩散区；在半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构两侧、半导体衬底中进行离子注入以形成袋状注入区、源和漏延伸区，以及源和漏极，将半导体衬底进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||