| 发明名称 | 用于闪存工艺的控制栅剖面 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件具有浮栅和控制栅。浮栅包括基本上垂直的剖面并提供电荷存储机制以设定具体的阈值电压。控制栅包括斜剖面以提高可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101128923B | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200680005622.7 | 申请日期 | 2006.01.30 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·弗兰恰里尼;D·阿尔奇迪亚科诺 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：衬底；所述衬底上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上以提供用于所述非易失性存储器件的浮栅的第一半导体层；所述第一半导体层上的第二绝缘层；以及形成在所述第二绝缘层上和所述浮栅之上以提供用于所述非易失性存储器件的控制栅的第二半导体层，其中所述浮栅的顶部宽度和所述控制栅的底部宽度基本上匹配，但所述控制栅的非直角梯形垂直剖面的顶部宽度小于所述控制栅的底部宽度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||