| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：栅极结构，该栅极结构包括：形成在半导体衬底上的氮氧化硅(SiON)层，形成在该氮氧化硅(SiON)层上的氮氧硅铪(HfSiON)层，形成在该氮氧硅铪(HfSiON)层上的多晶硅层，以及形成在该多晶硅层上的硅化物层；间隔件，位于该栅极结构的侧壁处；以及源极区和漏极区，置于该栅极结构的相对两侧。该半导体制造方法能够减小由铪(Hf)造成的钉扎。 | ||
| 申请公布号 | CN101452959B | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200810179754.2 | 申请日期 | 2008.12.03 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 辛恩宗 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅极结构，其包括：位于半导体衬底上的氮氧化硅层，位于该氮氧化硅层上的氮氧硅铪层，位于该氮氧硅铪层上的多晶硅层，以及位于该多晶硅层上的硅化物层；间隔件，位于该栅极结构的侧壁处；以及源极区和漏极区，置于该栅极结构的相对两侧；其中该氮氧硅铪层包括：第一氮氧硅铪层和第二氮氧硅铪层，其中该第二氮氧硅铪层位于该第一氮氧硅铪层上，并且该第二氮氧硅铪层的铪含量小于该第一氮氧硅铪层的铪含量。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||