发明名称 | 分离纳米材料及制作纳米电极的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种分离纳米材料的方法,所述纳米材料为一维纳米材料,所述分离纳米材料的方法包括如下步骤:1)将纳米材料固定在样品台上,获取所述纳米材料与衬底的夹角;2)根据所述纳米材料与衬底的夹角,调整衬底与水平面和离子束入射方向之间的夹角;3)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置,对所述纳米材料进行成像,根据成像结果划定切割区域;4)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置,利用离子束对切割区域进行切割扫描,直至纳米材料被切断。与现有的纳米材料与衬底分离的方法相比,本发明避免了对纳米材料的破坏与机械损伤;并且可在双束SEM/FIB或单束FIB系统上一次性完成,具有时间及成本优势。 | ||
申请公布号 | CN101823687A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
申请号 | CN200910079281.3 | 申请日期 | 2009.03.06 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 李无瑕;顾长志 |
分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
主权项 | 一种分离纳米材料的方法,所述纳米材料为一维纳米材料,所述分离纳米材料的方法包括如下步骤:1)将纳米材料固定在样品台上,获取所述纳米材料与衬底的夹角;2)根据所述纳米材料与衬底的夹角,调整衬底与水平面和离子束入射方向之间的夹角;3)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置,对所述纳米材料进行成像,根据成像结果划定切割区域;4)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置,利用离子束对切割区域进行切割扫描,直至纳米材料被切断。 | ||
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