| 发明名称 | 一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MEMS压力敏感芯片。其能有效提高芯片的稳定性，其误差小、精度高。其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO2）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101825505A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN201010152893.3 | 申请日期 | 2010.04.22 |
| 申请人 | 无锡市纳微电子有限公司 | 发明人 | 沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人 | 顾朝瑞 |
| 主权项 | 一种MEMS压力敏感芯片，其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO2）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路7号 | ||