半导体发光器件及使用它的半导体发光装置

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置。n侧电极呈沿基板的角部或边缘具有比例一定不变的长度的形状，使从n侧电极流向基板的电流分散，来回避n侧电极附近发热。在这种半导体发光器件中，因为存在n侧电极而使发光面积减小。因此，优选设定n侧电极长度为基板全周长度的20％以上且50％以下的值。这么一来，就在导电性基板的一个面上形成有发光层并且在与形成有发光层的一侧相同的一侧形成有n型电极和p型电极的半导体发光装置中，能够回避当供给大功率时在n侧电极附近发热，能够回避发光效率下降。

主权项

一种半导体发光器件，具有导电性基板、发光层、p侧电极及n侧电极，该发光层是在所述导电性基板上使n型半导体层、活性层及p型半导体层依次层叠而构成的，该p侧电极形成在所述p型半导体层上，该n侧电极形成在除去所述发光层的一部分而露出的所述n型半导体层上或所述导电性基板上，其特征在于：所述n侧电极形成在所述导电性基板的包括该导电性基板的角部或边缘的一部分上，并呈具有与所述导电性基板的全周长度的比例一定不变的长度的形状。