发明名称 | 使用衍射光栅的激光干涉光刻方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种使用衍射光栅的激光干涉光刻方法,该方法包括以下步骤:(a)在将要形成重复精细图形的工作基板上形成光刻胶层;(b)在光刻胶层上形成折射率匹配材料层;(c)在折射率匹配材料层上形成衍射光栅的周期为λ/ng~λ/n0的衍射光栅层,其中λ为激光束的波长,ng为衍射光栅的折射率,且n0为空气或真空中的折射率;以及(d)通过向衍射光栅层上垂直输入激光束并利用具有相同绝对值的正负级衍射光的相互干涉使光刻胶层曝光。该方法可以实现具有更高分辨率的干涉图形,且可使用较低相干性的激光源。 | ||
申请公布号 | CN101828140A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
申请号 | CN200880112270.4 | 申请日期 | 2008.10.08 |
申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 金台洙;金在镇;申铉雨 |
分类号 | G02B27/42(2006.01)I | 主分类号 | G02B27/42(2006.01)I |
代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 刘晔;朱梅 |
主权项 | 一种使用衍射光栅的激光干涉光刻方法,该方法包括以下步骤:(a)在将要形成重复精细图形的工作基板上形成光刻胶层;(b)在光刻胶层上形成折射率匹配材料层;(c)在折射率匹配材料层上形成衍射光栅的周期为λ/ng~λ/n0的衍射光栅层,其中λ是激光束的波长,ng是衍射光栅的折射率,且n0是空气或真空中的折射率;以及(d)通过向衍射光栅层上垂直输入激光束并利用具有相同绝对值的正负级衍射光的相互干涉使光刻胶层曝光。 | ||
地址 | 韩国首尔 |