发明名称 串行接口NAND
摘要 本发明提供包括经由SPI接口(16)操作NAND存储器装置(14)的实施例。一种此类方法(30)包括高速缓冲存储器加载(32)NAND存储器装置(14),其包括:将数据加载到所述NAND存储器装置(14)的高速缓冲存储器(20)中;将数据从所述NAND存储器装置(14)的所述高速缓冲存储器(20)写入(34)到所述NAND存储器装置(14)的存储器阵列(22)的地址;及轮询(36)以确定所述正被写入的数据的状态。此外,一种此类方法(106)包括经由SPI接口(16)在NAND存储器装置(14)中高速缓存数据,其包含:将第一数据加载(108)到所述NAND存储器装置(14)的高速缓冲存储器(20);将所述第一数据写入(110)到所述NAND存储器装置(14)的NAND存储器阵列(22)的第一地址(88);轮询所述高速缓冲存储器(20)的状态(112、114);如果轮询指示所述高速缓冲存储器(20)就绪,则用第二数据加载所述高速缓冲存储器(20)的一部分(116);轮询所述高速缓冲存储器(20)及所述NAND存储器装置(14)的状态(118、120);及如果轮询指示所述高速缓冲存储器(20)就绪且所述装置(14)就绪,则将所述第二数据写入(124)到所述NAND存储器装置(14)的所述NAND存储器阵列(22)的第二地址(90)。
申请公布号 CN101828172A 申请公布日期 2010.09.08
申请号 CN200880111959.5 申请日期 2008.09.30
申请人 美光科技公司 发明人 西奥多·T·皮耶克尼;杰夫·余
分类号 G06F12/02(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I 主分类号 G06F12/02(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 沈锦华
主权项 一种经由SPI接口高速缓冲存储器加载NAND存储器装置的方法,其包含:将数据加载到所述NAND存储器装置的高速缓冲存储器中;将数据从所述NAND存储器装置的所述高速缓冲存储器写入到所述NAND存储器装置的存储器阵列的地址;及轮询以确定所述正被写入的数据的状态。
地址 美国爱达荷州