| 发明名称 | 半导体传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种膜片不易破损并且传感器灵敏度的偏差也小的半导体传感器以及制造方法。在隔着SiO2膜(23)将Si基板(22)和Si薄膜(24)贴合的SOI基板的下表面形成凹部(26)。Si薄膜(24)的一部分成为作为感压区域的膜片(25)。在凹部(26)的上表面外周部，SiO2膜(23)将膜片(25)的下表面外周部覆盖，并且在凹部26上表面的除外周部之外的区域使膜片(25)的下表面露出。将膜片(25)的下表面外周部覆盖的SiO2膜(23)(加强部23a)在下表面形成锥形，随着从膜片(25)的外周侧朝向膜片(25)的中心部，其膜厚逐渐减薄。 | ||
| 申请公布号 | CN101825506A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN201010002870.4 | 申请日期 | 2010.01.21 |
| 申请人 | 欧姆龙株式会社 | 发明人 | 安达佳孝;井上胜之 |
| 分类号 | G01L1/22(2006.01)I;G01L9/04(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种半导体传感器，其特征在于，包括：作为基台的第一半导体层；在所述第一半导体层之上形成的绝缘层；在所述绝缘层之上形成的第二半导体层，从所述第一半导体层的下表面朝向所述绝缘层的上表面形成凹部，在该凹部上表面的外周部，利用所述绝缘层将所述第二半导体层覆盖，在所述凹部上表面的除外周部之外的区域，使所述第二半导体层的感应区域露出。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||