碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法，该方法包括：制备芯片，该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极；将碳纳米管和/或纳米线溶于有机溶剂中，并进行超声分散，制得碳纳米管和/或纳米线的悬浮液；将芯片浸没于所述悬浮液中，在上述电极上施加交流电或直流电；取出芯片，吹干，在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或纳米线的的分叉结构。本发明利用交变电场或交变的感应电场获得Y或T形的分叉结构，其可控性好、方法简单、效率高；同时，由于所获的分叉结构与电极相连，可以在同一芯片上原位实现分叉结器件或结器件阵列，为纳电子器件提供新的集成方法。

主权项

一种碳纳米管或纳米线分叉结构的制备方法，其步骤包括：1)制备芯片，该芯片包括一对平行电极和平行电极之间的若干个浮点电极，平行电极的相对距离为1-10μm，浮点电极的相邻电极距离为200-500nm；2)将碳纳米管和/或半导体纳米线溶于有机溶剂中，并进行超声分散，制得碳纳米管和/或半导体纳米线的悬浮液；3)将芯片浸没于所述悬浮液中，在上述平行电极上施加交流电，电压VPP＝0.5-25V，频率为1-10MHZ；4)取出芯片，吹干，在浮点电极之间获得两根或多根碳纳米管和/或半导体纳米线的的分叉结构。