多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管

摘要

本实用新型公开了一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管，其特征在于：在P+型半导体衬底(1)上外延N型半导体区域(2)和P+型半导体区域(3)，P+型半导体区域(3)将N型半导体区域(2)分为2个PN结隔离区，隔离区上栅扩散有第一P+半导体区域(4-1)、第二P+半导体区域(4-2)，以及第一N+半导体区域(5-1)、第二N+半导体区域(5-2)、第三N+半导体区域(5-3)；构成多沟道N-JFET和PNP晶体管复合结构。本实用新型将电源正极接到器件正极，电源负极接到器件负极(也可以通过负载接到负极)，可以在一个基本回路中实现的恒电流特性。恒电流值的大小可以通过N-JFET的沟道数量或PNP的电流增益的设计实现，该结构可达到20mA～100mA系列的输出恒定电流。

主权项

一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管，其特征在于：在P+型半导体衬底(1)上外延N型半导体区域(2)，在N型半导体区域(2)上扩散P+型半导体区域(3)，P+型半导体区域(3)和P+型半导体衬底(1)连通，将N型半导体区域(2)分为第一PN结隔离区(2-1)、第二PN结隔离区(2-2)；在第一PN结隔离区(2-1)上扩散有第一P+半导体区域(4-1)，在第二PN结隔离区(2-2)上扩散有第二P+半导体区域(4-2)；在扩散的第一P+半导体区域(4-1)之间的第一PN结隔离区(2-1)上扩散有第一N+半导体区域(5-1)、第二N+半导体区域(5-2)，在第二PN结隔离区(2-2)上扩散有第三N+半导体区域(5-3)；第二N+半导体区域(5-2)与第三N+半导体区域(5-3)通过金属电极(6)连接；P+型半导体区域(3)、第一N+半导体区域(5-1)和第一P+半导体区域(4-1)通过电极(7)连接。