发明名称 |
棒形半导体装置 |
摘要 |
一种具有受光或发光功能的棒形半导体装置,其包括:棒形基材,由p型或n型半导体晶构成;一导电层,形成在该基材表层中部与基材轴心平行的带状部份以外的部份,而且其导电型与上述基材的导电型不同;pn结面,由上述基材和导电层形成;带状的第一电极,欧姆性连接(电阻性连接ohmic connection)在形成于上述基材的上述带状部份的表面的上述基材;以及带状的第二电极,电阻性连接在包夹上述基材的轴心的第一电极的相反侧的上述导电层。 |
申请公布号 |
CN101461068B |
申请公布日期 |
2010.09.08 |
申请号 |
CN200680054942.1 |
申请日期 |
2006.06.14 |
申请人 |
京半导体股份有限公司 |
发明人 |
中田仗佑 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏博通专利事务所 11264 |
代理人 |
刘俊 |
主权项 |
一种棒形半导体装置,具有受光或发光功能,其特征在于,该棒形半导体装置包括:棒形的基材,由p型或n型的剖面为圆形的半导体晶构成;导电层,形成在该基材表层中部与基材的轴心平行的带状部份以外的部份,而且其导电型与上述基材的导电型不同;圆筒形的pn结面,由上述基材和导电层形成;带状的第一电极,欧姆性连接上述基材的上述带状部份的表面;以及带状的第二电极,欧姆性连接包夹上述基材的轴心的第一电极的相反侧的上述导电层的表面。 |
地址 |
日本国京都府 |