发明名称 非易失性存储器及其操作方法
摘要 本发明公开了一种非易失性存储器及其操作方法。非易失性存储器包括存储单元阵列、第一虚拟单元阵列、地址译码单元及同步编程电路。存储单元阵列包括一第一存储单元,而第一虚拟单元阵列包括一第一虚拟单元。第一虚拟单元系相邻于存储单元阵列之边缘一侧,且与第一存储单元相对应。地址译码单元接收一地址信号以进行译码,且当该地址信号为第一虚拟单元之相对地址时,同步编程电路控制第一虚拟单元与第一存储单元被同步地编程。
申请公布号 CN101350223B 申请公布日期 2010.09.08
申请号 CN200810096284.3 申请日期 2008.05.08
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 黄俊仁;陈嘉荣;何信义
分类号 G11C16/08(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/08(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种非易失性存储器,其特征在于,该存储器包括:一存储单元阵列,包括:一第一存储单元;一第一虚拟单元阵列,包括:一第一虚拟单元,系相邻于该存储单元阵列的一第一侧,且与该第一存储单元相对应;一地址译码单元,用以接收一地址信号以进行译码;以及一同步编程电路,当该地址信号为该第一虚拟单元的相对地址时,控制该第一虚拟单元与该第一存储单元被同步地编程。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号